无锡派腾微纳米科技有限公司 main business:许可经营项目：无。 一般经营项目：微纳米技术研发、技术转让、技术咨询、技术服务（上述范围涉及专项审批的，经批准后方可经营）。 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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- 320206000199809
- 注销
- 2014年01月24日
- 有限责任公司
- 2012年03月12日
- 李超
- 3万元人民币
- 2012年03月12日 至 永久
- 无锡市惠山区市场监督管理局
- 2014年01月24日
- 无锡市惠山区高力汽车博览城58-205
- 许可经营项目：无。 一般经营项目：微纳米技术研发、技术转让、技术咨询、技术服务（上述范围涉及专项审批的，经批准后方可经营）。
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN103531545A | 可恢复性能的氮化镓元件 | 2014.01.22 | 一种氮化镓半导体元件，包括氮化镓半导体器件、封装外壳，以及与氮化镓半导体器件表面相对的一个发光单元。 |
| 2 | CN103390643A | 一种氮化镓功率场效应晶体管 | 2013.11.13 | 一种氮化镓功率场效应晶体管的结构，包括衬底、缓冲层、外延在缓冲层上的氮化镓(GaN)沟道层，外延在G |
| 3 | CN103390616A | 一种微型氮化镓集成器件 | 2013.11.13 | 一种微型氮化镓集成器件，包括提供氮化镓衬底材料；在氮化镓衬底表面制作欧姆接触电极和肖特基接触电极，形 |
| 4 | CN103389390A | 确定半导体材料中电荷俘获中心的方法 | 2013.11.13 | 一种确定半导体材料中电荷俘获中心的方法，包括：提供半导体材料，所述半导体材料表面形成源极和漏极结构； |
| 5 | CN103377926A | 一种常闭型氮化镓场效应晶体管的制造方法 | 2013.10.30 | 一种常闭型氮化镓场效应晶体管的制造方法，包括：提供衬底材料，所述衬底材料表面外延生长氮化镓层，所述氮 |
| 6 | CN103377921A | 一种常开型氮化镓场效应晶体管的制造方法 | 2013.10.30 | 一种常开型氮化镓场效应晶体管的制造方法，包括：提供衬底材料，所述衬底材料表面外延生长氮化镓层，所述氮 |
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